关于宽禁带半导体SiC衬底及外延片研发及产业化生产线环评文件的公示
为适应市场需求，以求较好的经济效益和社会效益，合盛硅业股份有限公司决定投资20000万元，建设宽禁带半导体SiC衬底及外延片研发及产业化生产线。根据立项文件，项目名称为宽禁带半导体SiC衬底及外延片研发及产业化生产线，涉及的工艺包括：碳粉纯化、原料制备，碳化硅晶体生长、切割、晶片加工及检测，SiC同质外延工艺等。
由于企业场地限制，本次环评只涉及该立项文件中的碳化硅原料制备，因此实际投资为500万元。其余工序不包括在本次环评中，后期企业再另行申报项目。
在《宽禁带半导体SiC衬底及外延片研发及产业化生产线环境影响报告表》审批前进行环境影响评价文件公示。
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序号 |
项目名称 |
建设地点 |
建设单位 |
环评机构 |
附件链接 |
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宽禁带半导体SiC衬底及外延片研发及产业化生产线 |
浙江省嘉兴市嘉兴港区中国化工新材料（嘉兴）园区瓦山路200号 |
合盛硅业股份有限公司 |
浙江中蓝环境科技有限公司 |
附件1：宽禁带半导体SiC衬底及外延片研发及产业化生产线环评报告全本 |
公示时间：2021年10月26日
报告查阅联系单位：合盛硅业股份有限公司
报告查阅联系人：陈国清
联系电话：18368380885
通讯地址：浙江省嘉兴市嘉兴港区中国化工新材料（嘉兴）园区瓦山路200号
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